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电子元器件详细资料 » IC[20345] » IPP60R190E6
型号:IPP60R190E6类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
系列CoolMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)600V
电流_连续漏极(Id)0a025000C20.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C190 毫欧 @ 9.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223.5V @ 630µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs63nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1400pF @ 100V
功率_最大151W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装PG-TO220-3
包装管件

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
深圳勤思达科技有限公司吴086-0755-83268779
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